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1SS86中文资料

  • 大小:459.77KB
  • 厂家:SUNMATE/森美特
  • 描述:SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODES Features Maximum Ratings and Electrical Characteristics @ T A = 25C unless otherwise specified Low capacitance. (C = 0.85 pF max) High reliability with glass seal. Reverse voltage V R 3 V Average rectified current I O 30 mA Power dissipation Pd 150 mW Junction temperature Tj 100 °C Storage temperature Tstg ?55 to +100 °C Forward current I F 8 — — mA V F = 0.5 V Reverse current I R — — 50 μA V R = 0.5 V Reverse voltage V R 3.0 — — V I R = 1 mA Capacitance C — — 0.85 pF V R = 0.5 V, f = 1 MHz ESD-Capability * — 30 — — V C = 200 pF, R = 0 ?, Both forward and reverse direction 1 pulse. Note: Failure criterion ; I R > 50 μA at V R = 0.5 V 1SS86 0.079(2.0) MAX 0.020(0.52) TYP 0.165 (4.2) MAX 1.0 2(26.0) MIN. 1.0 2(26.0) MIN. DO-35(GLASS) Dimensions in millimeters Mechanical Data Case: DO-35, glass case Polarity: Color band denotes cathode Weight: 0.004 ounces, 0.13 grams ! ! ! ! ! Symbol Value Unit Symbol Min Typ Max Un

1SS86供应商

更新时间:2022-12-31 03:22:08
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